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Samsung prepara un chip de memoria para dispositivos de gama alta

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Samsung ha iniciado la producción en masa de una unidad de almacenamiento flash de 512 gigabytes que ofrece una velocidad de escritura tres veces mayor que la versión anterior, de más de 1,2 GB/s, y allana el camino para cumplir los requisitos de memoria de los próximos smartphones emblemáticos.

Según una declaración de la propia firma, la memoria eUFS (siglas inglesas de almacenamiento flash universal incorporado) 3.1 de 512 gigabytes, diseñada para los dispositivos de gama alta que se lanzarán durante 2020, ofrece tiempos de transferencia de datos significativamente más breves, ya que tarda en torno a 1,5 minutos en transmitir 100 gigabytes de datos, frente a los más de cuatro minutos del eUFS 3.0.

Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria, afirma que ahora, con la introducción del almacenamiento para móviles más rápido de la industria, los usuarios de smartphones ya no deberán preocuparse por el cuello de botella que se crea con las tarjetas convencionales.

La nueva gama eUFS también está disponible con capacidades de 256 y 128 gigabytes.

La firma explica que este mes ha iniciado la producción en serie de la quinta generación de V-NAND en su fábrica de Xian, China, para satisfacer la demanda del mercado de smartphones emblemáticos y de gama alta. Señala que tiene planes para pasar de la quinta a la sexta generación la producción de V-NAND que tiene lugar en las instalaciones de Pyeongtaek, Corea del Sur, a fin de atender mejor la creciente demanda.

Samsung anunció en febrero que había iniciado la producción en masa del que, según la propia firma, es el primer chipset DRAM móvil de 16 gigabytes, con una tasa de transferencia de datos de 5,5 Gb/s.

Publicado originalmente en en Mobile World Live en español

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